Основным достижением 2-нм техпроцесса является архитектура транзисторов Gate-All-Around (GAA), которая обеспечивает снижение утечек тока, увеличение скорости до 15% и уменьшение энергопотребления на 30% по сравнению с 3-нм процессом TSMC. Это особенно важно для серверов ИИ и мобильных устройств, где энергозатраты являются критическим фактором. Samsung использует опыт GAA для разработки SF2P с MBCFET-транзисторами, что позволит достичь стабильного выхода 60% к 2025 году для процессоров Exynos 2600. Переход на жидкостное охлаждение становится необходимым из-за высокой плотности мощности, особенно для ускорителей ИИ. Кроме того, 2-нм техпроцесс откроет доступ к высокоскоростной памяти HBM4, что позволит создавать более эффективные ИИ-модели. На фоне этой гонки Apple и Google активно сотрудничают с TSMC и Samsung. Цены на 2-нм пластины варьируются: TSMC — $30,000, Samsung — $20,000. Ожидается, что первые коммерческие 2-нм ускорители ИИ появятся к 2026 году, что станет важным шагом к новым технологиям в робототехнике и автономных транспортных средствах.
26.12.2025
| Комментариев нет