Южнокорейская компания SK hynix намерена запустить коммерческое производство чипов памяти на своем новом заводе M15X в феврале 2024 года, что на четыре месяца раньше изначальных планов. Как сообщают источники The Elec, в первую очередь начнется выпуск кристаллов 1b DRAM с технологией 10 нм, которые будут использоваться в стеках памяти HBM4. Первоначальная мощность завода составит около 10 000 пластин в месяц, с планами на значительное увеличение к концу 2026 года.
Активная установка оборудования на заводе направлена на удовлетворение растущего спроса на высокопроизводительную память от компании Nvidia. Завод полностью ориентирован на производство HBM4, совместимых с новыми ускорителями искусственного интеллекта Nvidia Rubin. Образцы памяти уже успешно прошли проверку у клиента.
Nvidia будет использовать метод упаковки CoWoS от TSMC для интеграции графических процессоров и HBM, обеспечивая высокую скорость передачи данных. SK hynix и Nvidia находятся на завершающем этапе оптимизации для достижения стабильной работы компонентов. В то же время Samsung также тестирует свои образцы HBM4, а Micron сообщила о полной резервировке своих мощностей для этой технологии. Ожидается, что Nvidia определится с поставщиками памяти в начале следующего года.